耐压试验论文

氮注入多晶硅栅极对超薄SiO_2栅极电介质性能的影响

一、氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响（论文文献综述）杨超[1]（2020）在《SiCMOS电容的平带电压漂移特性测量及控制技术》文中认为碳化硅（SiC）半导体由于...
浅谈北美标准的耐压测试

一、浅谈北美标准的耐压测试（论文文献综述）刘婷,金悦,史庆飞[1]（2019）在《EN62368-1（音视频、信息技术和通信技术设备:安全要求）的绝缘距离要求》文中研究指明该文...