一、有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性（论文文献综述）
安楠[1]（2013）在《电场及外力作用下霍尔元件特性的实验研究》文中研究指明霍尔元件是应用霍尔效应原理研制而成的一种微小型、灵敏型器件,其应用非常之广泛,可以方便、简洁的测量电流、磁场等各种与电流或磁场具有直接或间接特定关系的物理量。然而直到目前,对于应用霍尔元件测量电场强度以及在压力和电场作用下霍尔元件特性变化的研究还未见详细的报道。基于这一问题,经过理论分析,本文主要对基于霍尔元件对气压、机械压力等特性的响应以及处于气压、机械压力和电场中霍尔元件的测量特性变化进行深入的研究。本文内容包括以下四个板块：（1）介绍了因霍尔效应所需的各种半导体材料的相关性质以及霍尔元件材料的部分特性,其后对电场测量的现有方法以及霍尔元件的发展过程进行了介绍,接着详细阐述了本文所使用的理论知识：霍尔效应原理；介绍了霍尔元件各种特性以及在实验过程中所存在的影响参数。（2）介绍了本文研究中所要应用到的霍尔元件测量系统。主要介绍了使用集成运算放大原理设计的霍尔元件测量系统,其中霍尔器件使用典型的UGN3503霍尔元件、运算放大器使用OP07放大电路；简要说明实验中所应用到的其他仪器。（3）研究了霍尔元件分别处于变化负气压和机械压力下的不等位电势和测量特性。研究了霍尔元件在无外加磁场和有外加磁场时处于均匀负气压变化下的不等位电势和霍尔元件的测量特性,得出测量特性曲线,并对曲线进行分段分析。说明了实验结论与理论分析之间所存在的误差以及可能存在的影响因素。同理,还研究了霍尔元件在均匀机械压力变化下的不等位电势（无外加磁场）和磁场测量特性（有外加磁场情况）,同样得出测量特性曲线,对其进行详细的分析,并对实验中的各曲线进行比较,总结实验结论,并尝试的给出理论解释。（4）介绍了霍尔元件在电场下的测量特性。深入研究了霍尔元件以不同方式（霍尔元件平面分别平行和垂直于电力线）处于电场中时的霍尔电压变化特点。总结实验中的影响因素。提出使用多种不同类型的霍尔元件进行电场测量,进一步验证实验结论。
庞超[2]（2013）在《垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析》文中提出有机薄膜晶体管（OTFTs）是在传统有机场效应管的基础上发展起来的一种有机电子器件,它具有体积小、重量轻及低功耗等优点。自从问世以来就受到了研究人员的广泛关注,尤其是将金属酞菁配合物（MPc）薄膜用于气体传感器的敏感层,实现对有害气体（如N02、C12）的测试。传统的有机薄膜晶体管由于采用平面结构,其发展受到了沟道长度和较低的有机半导体材料载流子迁移率的影响。本文以CuPe为有机半导体气体敏感材料,设计了垂直结构的有机薄膜晶体管,其结构为Cu/CuPc/Al/CuPc/Cu五层堆叠垂直结构。制备过程采用真空蒸镀和直流磁控溅射工艺,由OLED多元多功能镀膜系统来完成。当特定气体NO2被有机薄膜晶体管的有机薄膜吸附时,发生氧化反应,相当于受主掺杂作用,导致有机薄膜内载流子变化,注入半导电铝薄膜基极,改变肖特基势垒的高度,驱动有机遂穿三极管；导致发射极发射的载流子增加或减少,使得遂穿CuPc/Al/CuPc双肖特基势垒基极区域形成的工作电流发生改变。利用KEITHLEY4200半导体测试仪与气敏测量系统,测量有机薄膜晶体管工作电流的变化,实现对N02气体的传感测定。研究结果表明：由Al/CuPc/Cu三层薄膜结构组成的器件表现出良好的整流特性,是一种性能良好的肖特基二极管；在对二极管的气敏特性测试中,由于NO2起到受主掺杂的作用,随着放置于NO2气体时间的增加,器件内部多数载流子数量随之增加,导致器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线具有明显的上升趋势；根据热电子发射理论,放置于NO2气体28分钟后,器件的肖特基势垒高度比空气中的势垒高度降低了60meV；通过对Cu/CuPc/Al/CuPc/Cu垂直结构有机薄膜晶体管的静态电流分析,晶体管器件具有不饱和特性,并且发射极与集电极间的电流随基极电压增大而减小。
王东兴,刘晓廉,焦兵兵,刘跃[3]（2012）在《Al/CuPc/Cu肖特基气敏二极管制备与特性》文中研究指明实验采用溅射和蒸发镀膜工艺,制备了一种新型的Al/CuPc/Cu三明治结构NO2气敏传感器.这种器件对NO2气体具有较高的敏感性,制备工艺简单,成本较低.通过研究其在NO2气体中电学特性的变化,来表征其敏感特性.研究结果表明,在10 ppm的NO2气体环境中,器件的正向电流明显增大.通过比较器件在空气和NO2气体中器件的肖特基势垒高度的变化,发现通入NO2气体50分钟后,CuPc/Al势垒高度降低了60 meV,正向整流电流增加77倍.
刘跃,王东兴,焦兵兵[4]（2011）在《Al/CuPc/Cu肖特基气敏二极管制备与特性》文中研究表明实验采用溅射和蒸发镀膜工艺,制备了一种新型的Al/CuPc/Cu三明治结构NO2气敏传感器。这种器件对NO2气体具有较高的敏感性,制备工艺简单,成本较低。通过研究其在NO2气体中电学特性的变化,来表征其敏感特性。研究结果表明,在10ppm的NO2气体环境中,器件的正向电流明显增大。通过比较器件在空气和NO2气体中器件的肖特基势垒高度的变化,发现通入NO2气体50分钟后,CuPc/Al势垒高度降低了60meV,正向整流电流增加77倍。
刘晓廉[5]（2011）在《Al/CuPc/Cu肖特基二极管气敏特性分析》文中研究指明在电子器件领域,学者们对研究有机物质的兴趣一直比较浓厚,例如将CuPc薄膜用于气体传感器的敏感层,这是由于有害气体对金属酞菁配合物（MPc）的薄膜电学性能有较大影响。一般是利用电导率的变化来观测有害气体的浓度,这是目前最普遍的一种MPc传感器。通过真空沉积的方法蒸镀MPc,利用其强的敏感性来研究多种气体的浓度,如今已有多种MPc薄膜被用来研究气体的敏感特性。本文利用磁控溅射和真空蒸镀技术制备了有机层厚度不同的两种肖特基二极管,并设计相应的实验方案,对其敏感特性进行测量和分析。所制备器件采用有机半导体材料酞菁铜（CuPc）作为敏感层,其结构包括Cu/CuPc/Al三层,器件制备在玻璃基板上面。其中Cu/CuPc形成欧姆接触做阳极,CuPc/Al形成肖特基接触做阴极。器件的两端电极是利用掩模板通过直流磁控溅射法沉积薄膜制备而成,夹在中间的有机半导体材料酞菁铜（CuPc）,是通过真空镀膜法蒸镀而成,器件的有效面积（两端电极与有机层重叠部分）约为2mm2。通过实践经验,不断优化实验的工艺参数,获得了性能良好的器件。使用KEITHLEY4200半导体测试仪与气敏测量系统,分别对两种器件在空气中和NO2气体中I-V特性进行测试,得出实验结果并分析。通过测试结果可知,两种器件均表现出良好的肖特基特性。通入10ppm的NO2气体后,器件的I-V特性曲线随着时间变化具有明显上移的趋势。这是因为电子受体起到受主掺杂的作用,伴随着时间的增加,电子受体逐渐增加,使得酞菁铜内部的多数载流子（空穴）增加,从而导致I-V特性曲线不断上移。另外,根据热电子发射理论对器件1进行分析讨论,分别得出空气和NO2气体中势垒高度,发现通入NO2气体28分钟后,CuPc/Al势垒高度降低了70meV。
郭松野[6]（2010）在《有机薄膜三极管感光阵列及其小信号测试》文中研究指明有机薄膜晶体管在许多方面优于无机半导体晶体管,如适用于大面积器件、柔性基板等,而且在许多领域具有广阔的应用前景。但是有机半导体材料载流子迁移率低,器件响应速度慢,成为了阻碍其实际应用的最大难题。论文针对课题组制备的酞菁铜薄膜铝栅极静电感应晶体管,为测试及分析其动态特性,研究影响器件开关速度的因素,设计了三极管微弱电流的检测电路。该电路使用了OPA128J型高精度运放作为I-V转换部分。检测电路组装完成后,经过实际测试,其检测精度为0.03nA,截止频率约为70kHz,达到了设计的要求。研究过程中,分别使用检测电路和电阻分压法,对早期样品器件及近期样品器件的动态特性进行了测试。测试结果显示早期器件对矩形波响应的上升时间只有10ms,而最近的样品器件经过改进之后,上升时间达到了268.1ns,器件的响应速度获得了较大的提升。使用Keithley4200SCS半导体特性测试仪对其各种电气参数进行了测试。根据测得的电气参数,建立了小信号的等效电路来分析有机薄膜静电感应三极管的特性,并对等效电路的动态特性进行了仿真。仿真结果表明,该小信号等效电路与实际器件能够很好的吻合,据此来深入分析影响器件性能的主要因素。结合有机半导体载流子的传输机制及半导体与金属接触理论,从机理上分析了器件结构对响应速度的影响,论证了器件的垂直结构可以有效提升响应速度。并得出影响该器件响应速度两个主要因素:一是跨导的大小,二是栅极—源极、栅极—漏极间电容的大小。在上述研究的基础上,根据课题组对酞菁铜薄膜三极管光敏特性的测试数据,从经典CCD图像传感器阵列的原理出发,设计了有机薄膜晶体管构成的图像传感阵列,并针对感光阵列的动态特性进行了仿真。仿真结果表明,该设计方案可以应用于小规模图像传感器。而实际制作这种有机光敏三极管阵列的制备技术还有待突破。
孙志远[7]（2008）在《有机静电感应晶体管工作特性的研究》文中提出无机半导体电子元器件已微细加工至亚微米、深亚微米,其芯片技术水准所能达到的集成度已趋向于物理极限。近几年来,有机电子元器件的研究是目前电子器件研究领域中最为火热的一块,各国关于有机器件的研究报道层出不穷,一些有机器件在实际生活中得到应用的例子也是屡见不鲜,可以预见有机器件得到广泛应用的时代已经快要到来了。有机器件有很多优越的性能,如质地柔软,造价便宜,易大面积化,轻薄等,这决定了有机器件必将打破无机器件在一些领域的垄断地位,并得到广泛应用。但有机器件也存在一些性能上的缺陷,如开关速度低、驱动电压高、处理速度低等,仍需要做进一步的改进。本文研究的有机静电感应晶体管（Organic Static Inductive Transistor:OSIT）,采用SIT的垂直结构,使用有机半导体材料——酞菁铜（Copper Phthalocyanine:CuPc）作为有源层。本文在实际制作的样品基础上,建立了晶体管模型,运用有限元法对其进行了有限元分析,采用适当的边界条件求解泊松方程,模拟了该模型在不同外置偏压和结构参数下的电势分布情况,并分析了偏压和结构参数对器件性能的影响。对实际制作的OSIT样品,进行了静态分析,在静态分析中研究了一些静态特征的主要参数,电压放大率μ与栅极电压VGS相关,而且随栅源电压VGS增加,三极管的跨导gm及电压放大率μ减小,输出阻抗rd增加。此外对OSIT的I-V特性做了着重分析,发现I-V特性与OSIT结构和偏压也有联系。本文为有机静电感应晶体管工作机理的研究提供了理论支持,为进一步优化晶体管性能提供了一个参照,也为未来OSIT的实用化做了理论和实践上的准备。
孟昱[8]（2006）在《有机静电感应晶体管工作特性的研究》文中认为随着电子产业的发展,集成电路在各种电子装置中发挥着越来越大的作用,而晶体管是集成电路中不可缺少的重要元件。晶体管的电气性能会影响到整个集成电路的功能,而它自身的结构尺寸极大的影响了其电气性能。传统的晶体管由以硅为代表的无机半导体材料制成,虽然它具有优异的电子特性,但其价格昂贵,并且其结构尺寸已经接近了小型化的极限。近年来,对有机半导体材料制成的有机半导体器件的研究已经成为热点,并且有机器件已经在显示器驱动等诸多领域成功应用。自从有机半导体器件问世并得以应用以来,有机静电感应晶体管的工作特性主要是通过实验实测的方法获得,其工作特性一直没有得到系统的、理论化的研究和阐述。有机静电感应晶体管工作特性的理论化研究为有机静电感应晶体管的应用提供了相应的理论基础,具有重大的理论及现实意义。本文针对已制作的有机静电感应晶体管建立物理模型,并将其简化为二维模型。选取适当的结构参数,运用有限元法,采用适当的边界条件求解泊松方程,得到了一系列离散的电势和电场数值,并依据这些数值绘制出了相应的电势和电场分布图形。通过对图形和数值的分析,解析了偏压条件和结构尺寸对有机静电感应晶体管工作特性的影响,并给出了有机静电感应晶体管沟道中势垒附近纵向和横向上的一维电势分布满足的二次方规律关系式。对有机静电感应晶体管的工作特性进行了较为系统的、理论化的研究。
车仁信,朱敏,王东兴[9]（2003）在《有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性》文中指出根据Au/CuPc/Al/CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果,分析了该三极管动作特性与器件结构的关系。结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性.其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构.合理设计、制作梳状铝电极,可获得良好的三极管静态、动态特性.
谢丹[10]（2001）在《NO2气敏LB膜及其微结构传感器研究》文中认为本论文从微结构气体传感器研究的三个主要方面——气敏材料、器件结构、敏感特性及机制出发，设计了三种不同结构的器件；利用LB膜技术制备了一系列NO2气敏薄膜，并进行了微观结构表征和分析，同时对其NO2气敏特性和敏感机理进行了研究。其主要内容归纳如下： 1．将微电子半导体工艺与LB膜技术相结合，首次制备了利用稀土元素双酞菁LB膜替代MOSFET中的栅极金属的化学场效应管（LB-OSFET）气体传感器和电荷流动场效应管（CFT）气体传感器；并首次将栅区开槽宽度不同的四个CFT器件进行集成，形成了简单的稀土元素双酞菁LB膜NO2气敏传感器阵列。 2．采用LB膜技术制备了不同层数的聚苯胺（PAN）、酞菁铜（（i-PrO）4CuPc）以及稀土元素（Ⅲ）系列双酞菁（RE［Pc（OC8H17）8］2；RE=Pr，Sm，Er，Tb）LB膜，并对它们的单分子膜在气-液界面上的行为动态进行了研究。其中，首次对稀土元素（Ⅲ）系列双酞菁在亚相界面上的成膜特性及单分子膜的压缩-回复特性进行了较为详细的研究。实验表明，六种材料相比较，Sm［Pc（OC8H17）8］2与十八烷醇（摩尔比为1：3）混合后，在亚相pH值为6.2、亚相温度为25℃、压缩速度为3mm/min、提膜速度为2mm/min的优化条件下具有较好的成膜性能，转移比接近于1.0。在该成膜条件下制备的LB膜较蒸发、旋涂等方法制备的薄膜具有更均匀、致密的特点。 3．对不同层数的LB膜尤其对稀土元素（Ⅲ）双酞菁络合物LB膜进行了微观分析和结构表征。采用紫外-可见光光谱（UV-ViS）对不同层数的LB膜进行了表征，发现膜层之间未发生分子聚集的现象，层间具有纵向均匀性。采用X-射线光电子能谱（XPS）分析了LB膜的成膜特性，发现Sm［Pc（OC8H17）8］2较其他材料具有好的成膜性，并利用转角法对单层LB膜的厚度进行了计算，其结果（49.8A）与椭偏仪测得的膜厚数据（50.0A）基本吻合。采用透射电镜（TEM）、原子力显微镜（AFM）分别对部分LB膜的形貌及不同条件下的结构进行了表征，发现薄膜由许多球状小颗粒组成，且结构均匀、致密；在多层膜形成过程中，出现了结晶现象，并且分子排列发生了倾斜，与基片水平方向之间的夹角约为25°～30°；在高膜压下形成的LB膜易于崩溃。采用小角X-射 电于科技大学博士学位论文线散射（SAXS）对多层LB膜的结构进行了表征，发现LB膜具有层状结构的特点和长程有序特征，并对多层LB膜中分子排列的取向状态进行了初步推测，与AFM得到的结果一致。采用电化学循环伏安分析法研究了部分LB膜的电化学特性，发现稀土元素（Ill）双酞着 LB膜有可能成为具有某些功能的修饰电极材料。 4．对不同材料（PAN，（i－PrO）．CuPc，Er【Pc（OC：H．；）思。，Pr【Pc（OC：H；，）。］。，S叫PC＊C：H17）812卜不同膜厚、不同器件结构（平面电极结构器件，ChCCFET，CFT）的LB膜气体传感器的NO。气敏特性进行了研究。发现S叫PCpC爿；，)：］。较其他几种材料具有更好的NO。敏感特性、响应特性和选择性。LB膜越薄或NO。气体浓度越大，响应越快。LB膜ChemFET和CFT器件解决了高阻测量困难的问题，能够探测到更低的NO2气体浓度并具有更好的稳定性。气体浓度检测范围为 0—100ppm，对 20ppm NO。气体的响应时间小于 20秒。 5．对聚苯胺和酞普的气敏机理进行了分析。并首次利用XPS研究了NO。气体对酞菩材料LB膜微观结构的影响，通过结构的变化探讨了酞普LB膜对NO。气体的敏感机理。发现稀土元素的引入对双酞育络合物LB膜的NO。气敏特性具有显着的影响作用，并且酞蔷分子与NO。分子之间发生了反应，这将影响酞菩LB膜NO。气体传感器的响应和恢复特性。与单酞膏相比，稀土元素 （HI）双酞育是一种很有前途的气敏材料。同时，针对酞曹 LB膜对 NOz气体的响应动力学过程，提出了气体响应的能带理论模型，并对气敏特性中的厚度效应、浓度效应、温度效应以及气体响应动力学过程的影响因素进行了分析和讨论，同时对实验结果进行了较为合理的解释。
二、有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性（论文提纲范文）
（1）电场及外力作用下霍尔元件特性的实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 半导体材料特性与应用 |
| 1.1.1 半导体材料的相关特性 |
| 1.1.2 半导体材料分类与应用 |
| 1.2 霍尔元件材料 |
| 1.3 电场强度测量方法 |
| 1.3.1 电学式测量方法 |
| 1.3.2 光学式测量方法 |
| 1.4 本课题研究内容和意义 |
| 1.4.1 本文研究内容 |
| 1.4.2 本课题研究意义 |
| 1.5 本章小结 |
| 第二章 霍尔效应与霍尔元件概述 |
| 2.1 霍尔效应理论 |
| 2.1.1 金属霍尔效应 |
| 2.1.2 半导体材料霍尔效应 |
| 2.2 霍尔元件与发展 |
| 2.2.1 霍尔元件的发展 |
| 2.2.2 霍尔元件形状与分类 |
| 2.3 霍尔元件结构与特性 |
| 2.3.1 霍尔元件结构 |
| 2.3.2 霍尔元件特点 |
| 2.3.3 霍尔元件主要特征参数 |
| 2.4 霍尔元件应用 |
| 2.4.1 直接应用 |
| 2.4.2 间接应用 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 霍尔元件测量系统设计与制作 |
| 3.1 测量系统电路设计 |
| 3.2 实验中应用的部分仪器介绍 |
| 3.2.1 数字高斯计介绍 |
| 3.2.2 数字特斯拉计介绍 |
| 3.2.3 电源介绍 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 处于负气压中霍尔元件测量特性实验研究 |
| 4.1 不同气压下霍尔元件不等位电势实验研究 |
| 4.1.1 真空箱设计 |
| 4.1.2 霍尔元件处于不同负气压下不等位电势研究 |
| 4.2 外磁场下负气压变化中霍尔元件测量特性实验研究 |
| 4.2.1 霍尔元件磁场测量分析 |
| 4.2.2 负气压变化下霍尔元件测量特性研究 |
| 4.3 综合分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 霍尔元件在机械压力作用下测量特性的实验研究 |
| 5.1 霍尔元件在机械压力作用下不等位电势实验研究 |
| 5.1.1 压力系统的建立 |
| 5.1.2 霍尔元件在机械压力作用下不等位电势研究 |
| 5.2 霍尔元件在机械压力作用下测量特性实验研究 |
| 5.3 综合分析 |
| 5.4 本章总结 |
| 第六章 电场下霍尔元件测量特性的研究 |
| 6.1 实验系统装置 |
| 6.1.1 均匀电场发生系统设计 |
| 6.1.2 实验系统的搭建 |
| 6.2 在电场下霍尔元件相关特性实验研究 |
| 6.2.1 电力线垂直霍尔元件平面的测量研究 |
| 6.2.2 电场线平行于霍尔元件平面时的测量研究 |
| 6.3 结果分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的成果 |
| 致谢 |
（2）垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题的背景及意义 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的发展和现状 |
| 1.3 有机半导体材料 |
| 1.4 薄膜传感器的概述 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 第2章 有机气敏晶体管基本理论 |
| 2.1 金属-半导体间接触理论 |
| 2.1.1 肖特基接触 |
| 2.1.2 欧姆接触 |
| 2.2 气敏器件的气敏机理及影响因素 |
| 2.2.1 酞菁的气敏特性机理 |
| 2.2.2 影响气敏特性的因素 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 垂直结构有机薄膜晶体管的制备 |
| 3.1 器件制备工艺 |
| 3.1.1 真空蒸发镀膜 |
| 3.1.2 溅射镀膜 |
| 3.2 垂直结构有机薄膜晶体管制备流程 |
| 3.2.1 基片处理 |
| 3.2.2 基极、集电极、发射极的制备 |
| 3.2.3 有机层的制备 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 垂直结构有机薄膜晶体管的气敏特性测试与结构分析 |
| 4.1 敏感特性测试 |
| 4.1.1 测试系统 |
| 4.1.2 实验方法 |
| 4.2 实验测试结果 |
| 4.2.1 Al/CuPc/Cu肖特基二极管特性 |
| 4.2.2 CuPc薄膜气敏特性分析 |
| 4.2.3 器件能带变化分析 |
| 4.3 有机薄膜三极管的Ⅰ-Ⅴ特性测试分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（3）Al/CuPc/Cu肖特基气敏二极管制备与特性（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 实 验 |
| 1.1 器件制备 |
| 1.2 敏感特性测量系统 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 CuPc薄膜传感器的敏感特性 |
| 2.2 CuPc薄膜传感器的气敏机理分析 |
| 3 结 论 |
（5）Al/CuPc/Cu肖特基二极管气敏特性分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题的研究意义及背景 |
| 1.2 有机半导体材料 |
| 1.3 MPc 材料敏感特性概述 |
| 1.4 酞菁薄膜传感器的研究成果 |
| 1.5 肖特基二极管传感器 |
| 1.6 本文主要研究内容 |
| 第2章 金属与半导体接触及酞菁气敏机理 |
| 2.1 金属与半导体接触 |
| 2.1.1 肖特基接触 |
| 2.1.2 欧姆接触 |
| 2.1.3 中性接触 |
| 2.2 气敏特性机理及影响因素 |
| 2.2.1 酞菁气敏机理探讨 |
| 2.2.2 酞菁配合物气敏特性的影响因素 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 肖特基气敏二极管的制备 |
| 3.1 器件制备工艺 |
| 3.1.1 真空镀膜 |
| 3.1.2 磁控溅射镀膜 |
| 3.2 基片的清洗 |
| 3.3 器件的制备过程 |
| 3.3.1 电极的制备 |
| 3.3.2 有机层的制备 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 有机肖特基二极管气敏特性的测试与分析 |
| 4.1 敏感特性测量系统 |
| 4.1.1 测量系统 |
| 4.1.2 实验方法 |
| 4.2 实验测试结果 |
| 4.2.1 空气中器件的测试结果 |
| 4.2.2 N02 气体中器件的测试结果 |
| 4.2.3 器件的恢复 |
| 4.3 CuPc 薄膜传感器的气敏机理分析 |
| 4.3.1 基本原理分析 |
| 4.3.2 器件气敏特性能带变化分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（6）有机薄膜三极管感光阵列及其小信号测试（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 相关领域研究进展 |
| 1.2.1 有机半导体材料 |
| 1.2.2 有机薄膜晶体管及应用 |
| 1.2.3 静电感应晶体管 |
| 1.3 本文主要研究的内容 |
| 第2章 小信号放大电路设计 |
| 2.1 微电流检测方法 |
| 2.1.1 开关电容积分法 |
| 2.1.2 运算放大器法 |
| 2.2 动态特性检测电路的设计 |
| 2.2.1 设计要求及原理 |
| 2.2.2 电路设计 |
| 2.2.3 提高电路性能的方法 |
| 2.3 PCB 的设计、制作与性能 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 有机薄膜三极管动态特性的测试及分析 |
| 3.1 有机薄膜静电感应三极管 |
| 3.2 早期三极管的动态特性 |
| 3.2.1 早期器件测试方法及微变等效电路 |
| 3.2.2 早期试制器件的等效电路与仿真 |
| 3.3 改进后三极管的动态特性 |
| 3.3.1 测试方法及结果 |
| 3.3.2 微变信号等效电路及仿真 |
| 3.4 酞菁铜薄膜三极管动态特性分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 有机薄膜三极管感光阵列设计 |
| 4.1 酞菁铜薄膜三极管的光敏特性 |
| 4.2 经典图像传感器的工作原理 |
| 4.3 感光三极管阵列的设计 |
| 4.4 感光三极管阵列的仿真 |
| 4.5 现状与展望 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（7）有机静电感应晶体管工作特性的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 |
| 1.2 相关领域的研究概况 |
| 1.2.1 有机薄膜晶体管发展趋势 |
| 1.2.2 静电感应晶体管的发展 |
| 1.3 待深入研究的问题 |
| 1.4 课题的来源和主要研究内容 |
| 第2章 晶体管基础理论 |
| 2.1 晶体管材料简介 |
| 2.1.1 半导体材料 |
| 2.1.2 有机半导体材料 |
| 2.2 金属－半导体接触 |
| 2.2.1 肖特基势垒的形成 |
| 2.2.2 欧姆接触 |
| 2.2.3 肖特基接触的整流理论 |
| 2.3 静电感应晶体管 |
| 2.3.1 静电感应器件原理 |
| 2.3.2 静电感应晶体管的结构 |
| 2.3.3 静电感应晶体管的基本工作原理 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 有机静电感应晶体管解析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 有机静电感应晶体管的制作 |
| 3.3 有限元法及其Matlab 实现 |
| 3.4 有机静电感应晶体管的物理模型 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 OSIT 各参数对沟道电势的影响 |
| 4.1 结构参数对OSIT 沟道电势的影响 |
| 4.1.1 栅极长度对沟道电势的影响 |
| 4.1.2 栅源距离对沟道电势的影响 |
| 4.1.3 沟道宽度对沟道电势的影响 |
| 4.1.4 沟道长度对沟道电势的影响 |
| 4.2 偏压参数对OSIT 沟道电势的影响 |
| 4.2.1 栅压改变对沟道电势的影响 |
| 4.2.2 漏压改变对沟道电势的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 OSIT 的静态及I-V 关系分析 |
| 5.1 OSIT 各静态参数测定 |
| 5.2 I-V 关系 |
| 5.2.1 OSIT 的电流-电压关系方程 |
| 5.2.2 OSIT 偏压参数对I-V 特性的影响 |
| 5.2.3 OSIT 结构参数对I-V 特性的影响 |
| 5.2.4 栅极电流和源-漏间电流的关系 |
| 5.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（8）有机静电感应晶体管工作特性的研究（论文提纲范文）
| 第1章 绪论 |
| 1.1 本课题研究的背景及意义 |
| 1.2 国内外相关领域的研究进展及成果 |
| 1.3 存在的不足和待深入研究的问题 |
| 1.4 课题的来源和主要研究内容 |
| 第2章 晶体管基础理论 |
| 2.1 金属－半导体接触 |
| 2.2 结型场效应晶体管 |
| 2.3 静电感应晶体管 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 有机静电感应晶体管解析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 有机静电感应晶体管的制作 |
| 3.3 有限元法及其MATLAB 实现 |
| 3.4 有机静电感应晶体管的有限元法数值解析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 偏压变化对OSIT 工作特性的影响 |
| 4.1 栅压改变对沟道电势和电场的影响 |
| 4.2 漏压改变对沟道电势和电场的影响 |
| 4.3 栅压和漏压对栅效率的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 结构参数对OSIT 工作特性的影响 |
| 5.1 结构参数LG、LGS和2A 对鞍部点大小及位置的影响 |
| 5.2 结构参数对OSIT 导电沟道纵向中心线电势分布影响 |
| 5.3 结构参数对OSIT 导电沟道横向电势分布影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（9）有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性（论文提纲范文）
| 1 有机静电感应三极管(OSIT)的结构和工作机理 |
| 2 测试实验 |
| 3 结果及分析 |
| 4 结论 |
（10）NO2气敏LB膜及其微结构传感器研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 目 录 |
| 第一章 绪 论 |
| 1.1 微传感器的研究概况 |
| 1.1.1 MEMS的发展与现状 |
| 1.1.2 微传感器的研究进展与发展趋势 |
| 1.2 LB膜的研究概况 |
| 1.2.1 LB膜简介 |
| 1.2.2 LB膜的发展历史和研究动态 |
| 1.2.3 LB膜在微结构传感器方面的应用 |
| 1.3 NO_2气敏传感器的研究概况 |
| 1.3.1 气敏传感器的分类 |
| 1.3.2 气敏传感器的基本结构 |
| 1.3.3 NO_2气敏传感器的研究动态 |
| 1.4 论文的选题及主要工作的结构体系 |
| 第二章 基本原理与实验方法 |
| 2.1 LB膜技术简介 |
| 2.1.1 LB膜成膜原理 |
| 2.1.2 LB膜的结构类型及淀积方法 |
| 2.1.3 LB膜技术的特点 |
| 2.1.4 LB拉膜系统 |
| 2.2 气敏传感器的主要特性参数 |
| 2.3 金属-氧化物-半导体场效应管的基本理论 |
| 2.3.1 场效应管的类型 |
| 2.3.2 MOSFET基本结构及工作原理 |
| 2.3.3 MOSFET的静态伏安特性 |
| 2.3.4 描述MOSFET性能的主要特性参数 |
| 2.4 主要性能的分析测试方法 |
| 2.4.1 膜压-面积曲线的测定 |
| 2.4.2 紫外-可见分光光度法（UV-Vis） |
| 2.4.3 X-射线光电子能谱（XPS） |
| 2.4.4 小角X射线散射（SAXS） |
| 2.4.5 原子力显微镜（AFM） |
| 2.4.6 电化学循环伏安分析法（CV） |
| 2.4.7 气敏特性测试方法 |
| 2.4.8 其它分析测试方法及仪器 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 LB膜NO_2气体传感器的器件结构设计与制作 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 平面微电极式器件结构 |
| 3.2.1 平面微电极式器件的工作原理 |
| 3.2.2 器件结构设计及制备工艺 |
| 3.3 LB膜化学场效应管的结构设计与制造 |
| 3.3.1 LB膜化学场效应管的基本原理 |
| 3.3.2 ChemFET的设计原则 |
| 3.3.3 ChemFET的结构设计与制造 |
| 3.4 电荷流动场效应管的结构设计与制造 |
| 3.4.1 电荷流动场效应管的工作原理及在气体传感器中的应用 |
| 3.4.2 CFT的设计原理 |
| 3.4.3 CFT的结构设计与制造 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 NO_2气敏LB膜的制备及分析表征 |
| 4.1 LB膜的材料选择及制备工艺 |
| 4.1.1 有机气敏材料的选择 |
| 4.1.2 基片的表面处理 |
| 4.1.3 制备工艺 |
| 4.2 聚苯胺LB膜的制备及表征 |
| 4.2.1 制备方法 |
| 4.2.2 气-液界面上聚苯胺单分子膜的行为表征 |
| 4.2.3 聚苯胺LB膜的UV-Vis表征及分析 |
| 4.3 （i-P_rO）_4CuPc LB膜的制备及表征 |
| 4.3.1 制备方法 |
| 4.3.2 气-液界面上（i-P_rO）_4CuPc单分子膜的行为动态表征 |
| 4.3.3 （i-P_rO）_4CuPc LB膜的UV-Vis表征及分析 |
| 4.4 RE［Pc~*］_2LB膜的制备及其微观分析和结构表征 |
| 4.4.1 RE［Pc~*］_2LB膜的制备方法 |
| 4.4.2 气-液界面上RE［Pc~*］_2单分子膜的行为动态研究 |
| 4.4.3 RE［Pc~*］_2LB膜的UV-Vis表征及分析 |
| 4.4.4 RE［Pc~*］_2LB膜的XPS研究 |
| 4.4.5 RE［Pc~*］_2LB膜的TEM及AFM表征分析 |
| 4.4.6 RE［Pc~*］_2LB膜的SAXS分析 |
| 4.4.7 RE［Pc~*］_2LB膜的电化学循环伏安特性研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 LB膜NO_2气体传感器的敏感特性研究 |
| 5.1 聚苯胺基LB膜的气敏特性研究 |
| 5.2 （i-P_rO）_4CuPc LB膜的导电特性及气敏特性研究 |
| 5.3 RE［Pc~*］_2LB膜的NO_2气敏特性研究 |
| 5.3.1 RE［Pc~*］_2LB膜平面电极式器件的NO_2气敏特性研究 |
| 5.3.2 RE［Pc~*］_2LB膜化学场效应管器件的NO_2气敏特性研究 |
| 5.3.3 RE［Pc~*］_2LB膜电荷流动场效应管器件的NO_2气敏特性研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 LB膜的NO_2气敏机理研究 |
| 6.1 LB膜与气体的相互作用原理及理论模型 |
| 6.1.1 气体敏感原理 |
| 6.1.2 敏感膜与气体相互作用的理论模型 |
| 6.1.3 NO_2气敏特性中的几种效应 |
| 6.2 气体响应的动力学过程及影响因素 |
| 6.3 酞菁LB膜NO_2气敏机理的XPS光电子能谱研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 前景展望 |
| 参考文献 |
| 致 谢 |
| 博士期间已发表和待发表的论文 |
四、有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性（论文参考文献）
- [1]电场及外力作用下霍尔元件特性的实验研究[D]. 安楠. 西北大学, 2013(S1)
- [2]垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析[D]. 庞超. 哈尔滨理工大学, 2013(07)
- [3]Al/CuPc/Cu肖特基气敏二极管制备与特性[J]. 王东兴,刘晓廉,焦兵兵,刘跃. 哈尔滨理工大学学报, 2012(02)
- [4]Al/CuPc/Cu肖特基气敏二极管制备与特性[A]. 刘跃,王东兴,焦兵兵. 第十三届全国工程电介质学术会议论文集, 2011
- [5]Al/CuPc/Cu肖特基二极管气敏特性分析[D]. 刘晓廉. 哈尔滨理工大学, 2011(05)
- [6]有机薄膜三极管感光阵列及其小信号测试[D]. 郭松野. 哈尔滨理工大学, 2010(08)
- [7]有机静电感应晶体管工作特性的研究[D]. 孙志远. 哈尔滨理工大学, 2008(04)
- [8]有机静电感应晶体管工作特性的研究[D]. 孟昱. 哈尔滨理工大学, 2006(01)
- [9]有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性[J]. 车仁信,朱敏,王东兴. 大连铁道学院学报, 2003(04)
- [10]NO2气敏LB膜及其微结构传感器研究[D]. 谢丹. 电子科技大学, 2001(01)